1、持续降低工作电压也是历代JEDEC SDRAM的传统，从20年前DDR 2.5V一路调降到DDR5 1.1V，让内存运作「理论上」更节能省电。
2、但当DDR5基础工作电压降到1.1V时，意味更小讯号容限，所以过去由主板负责的电源管理功能，就转移到内存模块本身，因此DDR5会多一颗PMIC，直接控制内存电源，提供更佳讯号辨识能力。
3、不过多了这颗PMIC也就垫高成本，都将转嫁给制造商成本和消费者账单，以及更高的缺料风险。
Bank意指DRAM颗粒可单独运作的储存单元。DDR5采用八个Bank群组而成的32 Bank，是DDR4两倍。DRAM因储存原理是需定时更新（Refresh）数据的电容，DDR4与前代更新时无法执行其他操作，但DDR5可透过Same BankRefresh （REFsb）命令，允许系统更新某些Bank时，可存取其他Bank的数据。换言之，DDR5存取可用性起码是DDR4两倍。
DDR5另一个规格面重大变化（也许是*重要者），在于将双信道实作于单模块。过去DDR都是72位（64位数据＋8位ECC），但DDR5变成两组40位（32位数据＋8位ECC）。两个较小独立信道可提高内存存取效率，特别是缩短存取延迟。分而治之的结构，也可便于提高讯号完整性。
为了强化稳定性，DDR5支持晶粒内建除错（On-Die ECC）机制，每128位数据就附带8位除错码。不过并不能取代标准ECC模块，只能说确保容量更大的DDR5颗粒可维持和过去同等级的数据可靠度。
TIF™100 系列热传导界面材料是填充发热器件和散热片或金属底座之间的空气间隙，它们的柔性、弹性特征使其能够用于覆盖非常不平整的表面。其优异的效能使热量从发热器件或整个PCB传导到金属外壳或扩散板上，从而能提高发热电子组件的效率和使用寿命。
产品特性
》良好的热传导率: 3.0W/mK
》带自粘而无需额外表面粘合剂
》高可压缩性,柔软兼有弹性,适合于在低压力应用环境
》可提供多种厚度选择
